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半導體 UHP 壓力表完整選型指南 2026

半導體 UHP 壓力表完整選型指南 2026
潔淨室壓力量測 × EP/BA 拋光 × 氦氣測漏標準全解析

晶圓廠選錯壓力表,代價不是讀數偏差——是整批晶圓報廢與數百萬台幣的製程 Excursion。本指南由昶特 ATLANTIS 31 年半導體儀錶工程實務整理,涵蓋 UHP 選型四大關鍵、SEMI 標準、洩漏測試規格、應用場景矩陣與 ATLANTIS HCPG 產品完整技術規格。

UHP 壓力表 316L EP 電解拋光 氦氣測漏 1×10⁻⁹ 潔淨室 ISO Class 5 SEMI F20 VCR 接頭 晶圓廠廠務 特殊氣體安全

🔬 立即詢價 HCPG 高純度壓力表

一、為什麼半導體製程不能用一般工業壓力表?

現代晶圓製程的線寬已縮小至 3 nm 以下,單一微塵顆粒(直徑 > 100 nm)足以摧毀整片晶圓的良率。在這個製程尺度下,儀錶本身的材質釋氣(Outgassing)、微粒脫落與接縫洩漏,都可能成為污染源。

⚠️ 真實風險:一個接頭洩漏的代價

某 8 吋廠 NH₃ 供氣管路壓力表接頭洩漏,微量氨氣進入 FAB 環境,導致黃光區光阻曝光異常。事後調查顯示,洩漏率約 5×10⁻⁶ atm·cc/sec——遠未達肉眼可察覺的程度,但足以造成整批 Lot 報廢,損失超過 NT$800 萬。若採用洩漏率 ≤ 1×10⁻⁹ atm·cc/sec 的 UHP 壓力表,此事故本可完全避免。

一般工業壓力表 vs UHP 壓力表核心差異

比較項目一般工業壓力表UHP 半導體壓力表
接液材質銅合金 / 316 SS316L SS(低碳)
表面處理機械拋光 Ra 1.6 µmEP 電解拋光 Ra 0.1~0.25 µm
製造環境一般廠房ISO Class 5~6 潔淨室
氦氣洩漏率未要求(>10⁻⁶)≤ 1×10⁻⁹ atm·cc/sec
清潔製程超音波純水清洗 + N₂ 吹淨
包裝一般紙盒雙層密封 / PET 真空封裝
精度等級±1.5%~±2.5% FS±0.5%~±1.0% FS
材質證明書通常不提供EN 10204 3.1 MTR 標準提供
適用場合一般工業、水處理、HVAC晶圓廠、生物技術、醫療設備

1×10⁻⁹

氦氣洩漏率標準
atm·cc/sec

Ra ≤0.25

EP 電解拋光
表面粗糙度(µm)

ISO 5

UHP 儀表製造
潔淨室等級

±0.5%

半導體級精度
要求(FS)

316L

低碳不鏽鋼
接液部位標準

二、半導體壓力表選型四大關鍵深度解析

🔬
關鍵一:材質與潔淨度
接液部位須為 316L(低碳)不鏽鋼,搭配 EP 電解拋光(Ra ≤ 0.25 µm)或 BA 光輝退火。製造環境需為 ISO Class 5~6 潔淨室,並經超音波純水清洗。
📐
關鍵二:精度與量程
精度要求 ≤ ±1.0% FS,高精密製程 ≤ ±0.5% FS。常用壓力建議落在量程 25%~75%,確保波登管在最佳線性範圍內運作,延長使用壽命。
🛡️
關鍵三:氦氣測漏
出廠前 100% 氦氣洩漏測試,洩漏率 ≤ 1×10⁻⁹ atm·cc/sec。此標準確保矽烷(SiH₄)、磷化氫(PH₃)等劇毒氣體在任何工作條件下不外洩。
關鍵四:安全認證
特殊氣體區域需符合 SEMI S2 環安規範、SIL 安全完整性等級(視 Risk Assessment 結果而定)。部分應用需防靜電設計(ESD)。

2-1 材質深度解析:316 vs 316L vs 316Ti

半導體製程中,微量金屬離子(Fe、Ni、Cr)進入氣體管路即可能造成晶圓金屬污染(Metallic Contamination),影響 MOS 元件特性。接液材質的碳含量與表面處理直接影響金屬析出量:

材質碳含量抗晶間腐蝕UHP 適用性備註
316L≤ 0.03%✓ 優✓ 推薦低碳,焊接後不易敏化
316≤ 0.08%△ 一般✗ 不推薦焊接後可能晶間腐蝕
316Ti≤ 0.08%(Ti 穩定)✓ 優△ 特殊應用鈦穩定,高溫場合用
316L VIM/VAR≤ 0.02%(極低)✓ 極優✓ 最高等級真空感應熔煉+真空電弧重熔,金屬離子含量最低

2-2 電解拋光(EP)vs 光輝退火(BA)對比

項目EP 電解拋光BA 光輝退火
原理電化學溶解表面凸起氫氣氛圍熱處理
Ra 值0.1~0.25 µm0.25~0.5 µm
氧化鉻鈍化層≥ 1.5 nm(緻密均勻)均勻但稍薄
乾燥時間短(水分不易吸附)較長
主要應用特殊氣體管路、研究級 UHP一般 UHP 氣體配管
適合氣體SiH₄、PH₃、HF、Cl₂N₂、Ar、H₂、CDA

2-3 氦氣測漏數據解讀

洩漏率等級 vs 應用場合對應圖(數量級比較)
10⁻³ 10⁻⁵ 10⁻⁷ 10⁻⁹ 10⁻¹¹ 一般工業 管路接頭 化工/石化 壓力錶 高純度 一般 UHP 半導體 UHP HCPG / VCR ≤1×10⁻⁹ 超高真空 CVD 腔體 UHP 標準線 1×10⁻⁹ 洩漏率(atm·cc/sec)

圖:各應用場合氦氣洩漏率要求等級比較(數量級示意)

2-4 量程與精度選型矩陣

半導體廠務不同介質的壓力範圍差異極大,選型前須確認製程操作壓力,再據此決定量程與精度等級:

氣體/介質典型操作壓力建議量程建議精度氦氣測漏
矽烷(SiH₄)1~5 bar0~10 bar±0.5%必須
氨氣(NH₃)2~8 bar0~16 bar±0.5%必須
磷化氫(PH₃)0.5~3 bar0~6 bar±0.5%必須
氮氣(N₂)3~7 bar0~10 bar±1.0%建議
氬氣(Ar)2~6 bar0~10 bar±1.0%建議
CDA 乾燥空氣5~7 bar0~10 bar±1.0%不必須
冷卻水(DIW)2~5 bar0~10 bar±1.0%不必須
潔淨室差壓5~25 Pa0~100 Pa±1% FS不必須

三、ATLANTIS HCPG 高純度壓力表完整規格

「昶特 ATLANTIS 的任務,不是販賣一個儀錶,而是為每一段半導體製程管路提供可以信賴的精密守護。」—— 昶特設備不屈服,不妥協。

ATLANTIS HCPG 高純度壓力表 UHP 半導體級
ATLANTIS HCPG 高純度壓力表

UHP 超高純度 AP/MP 潔淨等級 氦氣測漏合格 真空焊接 半導體 ✓ 生物技術 ✓

HCPG 採用真空焊接製程,氣密性達 1×10⁻⁹ Pa·m³/s,超音波純水清洗,提供 AP(分析純度)與 MP(製造純度)兩種潔淨等級。波登管材質可選 SS316 / SS316L / SS316Ti,接頭支援 1/4"VCR(M/F)、9/16"-18UNF 等高純度接頭規格,專為半導體晶圓廠、醫療生物技術與精密研究設備設計。

HCPG 詳細技術規格表

規格項目規格內容
錶盤尺寸1.5", 2"
安裝型式下接式(A)/ 後接式(ADC)/ 後接式附凸緣(BDC)
視窗材質PC 塑料,O-ring 密封
接液材質SS 316 / SS 316L / SS 316Ti
壓力接頭規格1/4"NPT / 1/4"BSP / 1/4"VCR(M/F) / 9/16"-18UNF(M) 固定式/可旋式
量測範圍(錶壓)0 ~ 350 bar(可客製)
量測範圍(複合壓)-1…0 ~ 24 bar
適用介質與 SS316 相容之氣體與液體
環境溫度範圍-40°C ~ +60°C
介質溫度上限+100°C
防護等級IP54
潔淨等級AP(分析純度)/ MP(製造純度,PET 真空封裝)
氣密性(氦氣洩漏)≤ 1×10⁻⁹ Pa·m³/s(真空焊接製程)
清洗製程超音波純水清洗
包裝N₂ 吹淨後密封;MP 等級採 PET 真空封裝
外殼材質SS304
指針鋁製黑色烤漆
感測元件C 型波登管
精度±2.5% FS / ±1.5% FS(客製高精度請詢問)
爆破保護吹出型後板(Blow-out back)
機芯材質不鏽鋼
OEM 服務可提供
💡 選型建議:HCPG 適用場合快速判斷

需要氦氣洩漏測試報告 → HCPG MP 等級;需要分析研究等級潔淨度 → HCPG AP 等級;特殊氣體管路(SiH₄、NH₃)→ 指定 1/4"VCR 接頭 + SS316L 波登管;校驗用途 → 搭配 ATLANTIS TAF 追溯校驗服務。

四、半導體廠各製程區域壓力量測應用矩陣

應用區域監測點建議儀錶精度需求特殊要求
特殊氣體房(Gas Room)SiH₄、PH₃ 鋼瓶輸出壓力HCPG UHP 壓力表±0.5%VCR 接頭、氦氣測漏
Gas Box 氣體分配盤各路氣體管路壓力HCPG + PT-UHP 傳送器±0.5%316L 全不鏽鋼、潔淨包裝
CDA 管路系統壓縮機後 / 使用點壓力HCPG / SUS 壓力表±1.0%316L、無銅件
N₂ / Ar 管路供應壓力、緩衝槽壓力HCPG MP 等級±1.0%潔淨包裝
潔淨室空調(MAU/CHILLER)區域正壓差、過濾器差壓DMPT-300 微差壓傳送器±1% FS量程 0~250 Pa
DIW 去離子水管路管路壓力、濾芯差壓SUS 316L 壓力表±1.0%耐腐蝕、IP65
冷卻水(PCW)系統進出管壓力差DPTX 差壓傳送器±0.5%4-20mA 遠端監控
真空系統(幹式泵)粗抽 / 精抽壓力真空計(另詢)抗腐蝕性廢氣

潔淨室壓差監測特別說明

潔淨室各區域之間的壓差梯度是防止外部污染侵入的最重要屏障。國際標準 ISO 14644-4 建議不同潔淨等級區域間壓差維持在 5~20 Pa,而 SEMI 規範對晶圓廠的要求更嚴格,黃光區通常維持相對外部 15~25 Pa 正壓差。

潔淨室區域ISO 潔淨等級對外壓差(Pa)換氣次數(次/hr)建議監測儀錶
黃光室(Photolithography)ISO Class 4~5+20~25400~600DMPT-300 微差壓傳送器
擴散爐管區ISO Class 5+15~20300~400DMPT-300
蝕刻機台區ISO Class 5~6+10~15200~300DMPT-300
一般廠務走廊ISO Class 7~8+5~1050~100DMPT-300 / 一般差壓計
特殊氣體儲存室— (排氣負壓)-5~-10(負壓)≥60 次/hrDMPT-300 + 警報器

五、實際應用案例分析(匿名)

案例 A
北部某 8 吋晶圓廠|特殊氣體管路 UHP 壓力表升級

問題背景:原使用一般工業級 316 壓力表,廠務工程師在例行洩漏檢查中發現 SiH₄ 管路接頭有微量洩漏(約 3×10⁻⁶ atm·cc/sec),遠超 UHP 要求。緊急封閉該站點管路,造成機台停機 48 小時。

解決方案:全線更換 ATLANTIS HCPG 高純度壓力表(SS316L 波登管 + VCR 接頭),並提供氦氣洩漏測試報告(≤1×10⁻⁹ atm·cc/sec)與 3.1 MTR 材質認證書。

✅ 成效:更換後通過廠商 FAB 驗收,此後 12 個月無洩漏記錄,機台稼動率恢復 99.2%,避免每次停機約 NT$120 萬的損失。
案例 B
南部科學園區某化合物半導體廠|黃光區壓差監測優化

問題背景:潔淨室差壓監測採用早期機械式差壓計,精度 ±5 Pa,無法即時警示 10 Pa 以下的壓差變化,曾發生門縫開啟時壓差低於 5 Pa 而未觸發警報,外部微塵侵入。

解決方案:導入 ATLANTIS DMPT-300 微差壓傳送器,量程 0~100 Pa,精度 ±0.5% FS(即 ±0.5 Pa),整合 BMS 建築管理系統,壓差低於 8 Pa 即觸發警報。

✅ 成效:壓差監測精度提升 10 倍,BMS 整合後可記錄每日壓差曲線,協助找出壓差下降規律(與換班時間相關),進而優化 MAU 調度,年節能約 NT$45 萬。
案例 C
竹科某 DRAM 廠|Gas Box 壓力就地顯示 + 遠端監控整合

問題背景:Gas Box 內 12 路製程氣體僅有就地指針式壓力表,無法整合至 SCADA,異常時需人工巡檢,反應時間慢(>15 分鐘)。

解決方案:就地顯示保留 HCPG 機械式 UHP 壓力表(停電時仍可現場確認);遠端監控新增 PT-UHP 超高壓型壓力傳送器(4-20mA 輸出),整合至廠務 SCADA。

✅ 成效:異常警報反應時間從 >15 分鐘縮短至 30 秒,配合 SPC 統計製程控制,提前發現 3 次氣體壓力下漂趨勢(管路微洩漏初期訊號),避免製程 Excursion。

三個案例量化成效彙整

指標案例 A案例 B案例 C
問題類型洩漏 / 停機壓差精度不足監控盲點
導入儀錶HCPG UHP 壓力表DMPT-300 微差壓傳送器HCPG + PT-UHP 傳送器
關鍵改善成效洩漏率降低 3000 倍精度提升 10 倍警報時間縮短 96%
年度節省估算NT$120 萬+/次停機NT$45 萬/年節能避免 3 次 Excursion

六、半導體 UHP 壓力表選型七步驟

  1. 確認介質種類:是特殊氣體(SiH₄、PH₃、NH₃、HF)還是惰性氣體(N₂、Ar)?特殊氣體須 100% 氦氣測漏,惰性氣體可視風險評估決定。
  2. 確認操作壓力:查閱製程文件取得最大操作壓力(MOP)與正常操作壓力(NOP),量程選 NOP 的 1.5~2 倍,且 NOP 落在量程 25%~75% 內。
  3. 決定精度等級:特殊氣體與關鍵製程 ±0.5% FS;一般廠務氣體(N₂、CDA)±1.0% FS;差壓監控 ±1% FS(0~100 Pa 量程)。
  4. 確認接頭規格:特殊氣體管路建議 VCR 接頭(金屬墊圈密封);一般 UHP 管路可用 1/4" NPT 或 Swagelok 面密封;確認現場管路接頭規格,避免異質接頭。
  5. 選擇潔淨等級:分析研究用途 → AP;製程安裝用途 → MP(PET 真空封裝);確認入廠包裝要求。
  6. 要求技術文件:3.1 MTR 材質認證書、氦氣洩漏測試報告(含批號)、ISO 17025 追溯校驗證書、表面粗糙度報告(如需)。
  7. 聯絡昶特 ATLANTIS 技術業務:提供介質、壓力、接頭規格,取得 HCPG 選型建議與完整報價,一般現貨常用規格 3~5 工作日可出貨。
✅ 快速核對:現有壓力表是否符合 UHP 要求?

□ 接液材質為 316L(而非 316 或銅合金)?
□ 有 EP 電解拋光或 BA 光輝退火認證?
□ 附氦氣洩漏測試報告(≤1×10⁻⁹ atm·cc/sec)?
□ 雙層潔淨包裝記錄完整?
□ 精度 ≤ ±1.0% FS?

五項全符合→ 可繼續使用;任一不符→ 建議立即更換 UHP 等級產品,避免製程污染風險。

七、ATLANTIS 半導體廠務量測完整產品線

ATLANTIS MF-SUS 多功能全鋼壓力表
MF-SUS 多功能全不鏽鋼壓力表

全不鏽鋼 IP65 耐腐蝕 多種螺紋規格

全不鏽鋼外殼,適合與不鏽鋼相容的輕度腐蝕性介質,廣泛用於化工、石化、食品工業與廠務系統。提供多種螺紋規格,IP65 防塵防噴水,是 HCPG 在一般廠務區的標準配置選擇。
ATLANTIS SUS 全不鏽鋼壓力表
SUS 全不鏽鋼壓力表

耐腐蝕 多尺寸 多種安裝型式 化工/食品/廠務

接液部位採不鏽鋼,適用與不鏽鋼相容之輕度腐蝕性介質。半導體廠 DIW 去離子水管路、PCW 冷卻水管路、廠區供氣次管路等非 UHP 區域的標準選型,多種尺寸與安裝型式可選。

產品選型快速對照

產品適用場合潔淨等級氦氣測漏特殊認證
HCPG特殊氣體管路、Gas BoxAP/MP UHP 等級≤1×10⁻⁹VCR 接頭可選
MF-SUS廠務系統、CDA、N₂工業級不適用IP65
SUSDIW、PCW、一般廠務工業級不適用多尺寸
PT-UHPSCADA 遠端監控工業級不適用4-20mA / HART
DMPT-300潔淨室差壓監測不適用量程 ±100~1000 Pa

常見問題 FAQ(20 題)

Q1. 半導體壓力表(UHP 壓力計)跟一般壓力表有什麼差別?
半導體 UHP 壓力表的接液部位必須採用電解拋光(EP)或光輝退火(BA)的 316L 不鏽鋼,並在 ISO Class 5~6 潔淨室內製造,氦氣洩漏率需達 1×10⁻⁹ atm·cc/sec。一般工業壓力表無潔淨度要求、無氦氣測漏,精度僅 ±1.5%~2.5%,不符合晶圓廠製程標準。選錯壓力表可能造成微塵、金屬離子或有毒氣體洩漏,影響晶圓良率甚至造成人員安全事故。
Q2. 半導體壓力表的氦氣測漏標準是什麼?如何驗證?
業界標準要求洩漏率 ≤ 1×10⁻⁹ atm·cc/sec(或 1×10⁻⁹ Pa·m³/s),ATLANTIS HCPG 即達此標準。驗證方式為質譜儀氦氣洩漏測試(He Leak Test by Mass Spectrometer),供應商應提供每批次測試報告,含測試日期、批號、測試設備校驗記錄。此規格確保矽烷(SiH₄)、氨氣(NH₃)等劇毒特殊氣體在任何操作條件下不外洩,保障人員與製程安全。
Q3. 316L EP 與 316L BA 拋光有什麼差異?
EP(電解拋光)透過電化學方式去除表面突起,Ra 可達 0.1~0.25 µm,氧化鉻鈍化層 ≥ 1.5 nm(緻密均勻),水分吸附少、乾燥時間短,適合矽烷、HF、Cl₂ 等高活性特殊氣體管路。BA(光輝退火)在氫氣氛圍下熱處理,氧化鉻鈍化層均勻,Ra 約 0.25~0.5 µm,適合 N₂、Ar、H₂、CDA 等一般高純度應用。兩者均優於標準工業拋光(Ra 1.6 µm)。
Q4. 半導體壓力表需要哪些 SEMI 標準認證?
主要涉及:SEMI F20(超高純度氣體儀表材料規範)、SEMI E49.6(UHP 元件清潔度與包裝要求)。部分廠房亦要求符合 SEMI S2(環境、安全與健康規範)與 SEMI S8(人因工程)。選型前應確認供應商能提供原廠潔淨度認證書與材質證明(EN 10204 3.1 MTR)。昶特 ATLANTIS 可協助取得完整技術文件以通過客戶廠商驗收。
Q5. 精度等級 ±0.5% 與 ±1.5% 在半導體製程有何實際影響?
以 CMP 化學機械研磨製程為例,研磨液壓力誤差 ±0.1 bar 即可能導致晶圓表面移除率偏差 3~5%,造成良率損失。精度 ±0.5% 相較 ±1.5% 讀數偏差少 2/3,在 0~10 bar 量程上即節省 ±0.1 bar 的誤差。長期累積可避免因壓力判斷失準引發的製程 Excursion,對 DRAM、NAND Flash 等精密製程尤為關鍵。
Q6. 量程應如何選擇?常用壓力落在 25~75% 的原因?
建議常用壓力落在量程的 25%~75%,原因有三:①中段量程線性最佳,精度利用率最高;②避免波登管在長期高壓或低壓端工作產生金屬疲勞;③遇製程波動有充裕緩衝空間,不易超量程損壞。例如工作壓力 5 bar,建議選 0~10 bar 量程(工作點在 50%,最佳);若選 0~6 bar(工作點在 83%),長期將加速波登管疲勞,壽命縮短 30~50%。
Q7. 半導體廠的特殊氣體(矽烷、氨氣)對壓力表有什麼特殊要求?
矽烷(SiH₄)遇空氣自燃、氨氣(NH₃)劇毒,因此壓力表必須:①全焊接設計,無機械接觸密封面;②氦氣洩漏率 ≤ 1×10⁻⁹ atm·cc/sec;③接液材質 316L 以上(優於 316);④通過 SEMI S2 環安規範;⑤部分應用要求 SIL2 安全完整性等級認證;⑥接頭規格建議 VCR 金屬墊圈密封,而非 NPT 螺紋。
Q8. VCR 接頭與 NPT 接頭在 UHP 應用有何差異?
VCR(Vacuum Coupling Radiation)接頭採用金屬 Gasket 密封,洩漏率可達 1×10⁻¹⁰ atm·cc/sec 以下,是 UHP 氣體系統首選,可重複拆裝更換 Gasket。NPT 螺紋接頭以錐度干涉密封,需搭配 PTFE 生料帶,洩漏率較高(~10⁻⁶ 等級),不符合特殊氣體 UHP 標準。晶圓廠一般規定特殊氣體管路一律使用 VCR 或 Swagelok 面密封接頭;惰性氣體次管路可視風險使用 NPT。
Q9. UHP 壓力表的潔淨包裝有哪些規定?
依 SEMI E49.6,UHP 儀表出廠前需以氮氣或超高純度氣體吹淨接液部位,雙層密封包裝(內層 PE 袋真空封存、外層防靜電袋),並標示批號、潔淨等級與有效日期。昶特 ATLANTIS HCPG MP 等級採 PET 真空封裝,可安全帶入潔淨室拆包使用,避免開箱過程中引入微粒污染。
Q10. DMPT-300 微差壓傳送器適合潔淨室哪些監測點?
DMPT-300 微差壓傳送器適合監測:①黃光區與設備區之間的正壓差(確保潔淨室不被外部空氣侵入);②HEPA/ULPA 過濾器前後差壓(判斷濾網壽命);③化學品儲存室的排氣負壓;④FAB 不同潔淨等級區域之間的壓差梯度。量測範圍最低可至 ±100 Pa,精度 ±0.5% FS,可直接輸出 4-20mA 訊號整合至 BMS/SCADA。
Q11. 半導體廠差壓監測該選哪個量程的壓力計?
黃光區與一般廠務區之間壓差通常維持 10~25 Pa,需使用微差壓計,量程 0~100 Pa 或 0~250 Pa,精度 ±1% FS 以上。一般製程氣體管路壓力(CDA、N₂、Ar)通常 1~10 bar,選精度 ±0.5%~1.0% 的 UHP 型壓力表。特殊氣體(矽烷、氨氣)管路則需 ≤ ±0.5% 精度、氦氣洩漏測試合格的全焊接 UHP 壓力計,如 ATLANTIS HCPG。
Q12. ATLANTIS HCPG 高純度壓力表有哪些潔淨等級可選?如何區分?
HCPG 提供 AP(Analytical Purity,分析純度)MP(Manufacturing Purity,製造純度)兩種等級。AP 等級適合精密分析、校驗儀器與研究設備;MP 等級採 PET 真空密封包裝,適合製程管路安裝,可直接帶入潔淨室。兩者均採用超音波純水清洗、真空焊接,氣密性達 1×10⁻⁹ Pa·m³/s。訂購時請明確指定所需等級,昶特可依需求出具相對應的潔淨度認證書。
Q13. 晶圓廠對壓力儀表通常要求哪些文件?
晶圓廠通常要求:①3.1 MTR 材質認證書(依 EN 10204);②ISO 17025 追溯校驗證書(可追溯至國家計量標準);③氦氣洩漏測試報告(≤1×10⁻⁹ atm·cc/sec,含批號與設備校驗記錄);④表面粗糙度報告(Ra ≤ 0.25 µm,如設計書要求);⑤雙層潔淨包裝確認。昶特 ATLANTIS 可協助取得以上完整技術文件,加快客戶廠商驗收流程。
Q14. 半導體廠務 CDA 乾燥空氣管路的壓力表應如何選型?
CDA(Clean Dry Air)系統通常操作壓力 6~7 bar,建議:①量程 0~10 bar;②精度 ±1.0%~±0.5%;③接液材質全 316L 不鏽鋼(避免銅件導致氧化物污染,對電子製程尤其重要);④接頭 1/4" NPT 或依廠規;⑤潔淨等級視廠房規範,可選 HCPG MP 或一般 SUS 不鏽鋼壓力表;無特殊需求時 CDA 管路不強制氦氣測漏,但建議選用全不鏽鋼接液材質。
Q15. 氮氣吹淨(N₂ Purge)在 UHP 壓力表安裝中扮演什麼角色?
氮氣吹淨有兩個用途:出廠前吹淨接液部位殘留水分與有機物,確保潔淨度,HCPG 出廠前已完成氮氣吹淨並密封包裝;現場安裝時,應先以氮氣預吹淨管路,再確認所有接頭洩漏合格後,才通入製程氣體,防止水氣或氧氣污染超高純度氣體系統。此步驟在矽烷、磷化氫等對水分極度敏感的氣體系統中尤為關鍵。
Q16. 半導體壓力表需要多久校驗一次?
一般建議每 6~12 個月校驗一次,或依廠房 ISO/QMS 要求執行。高精度製程(CMP、CVD、PVD 等)建議每季校驗,並保留完整校驗履歷供審計追溯。校驗應出具追溯至國家計量標準(台灣為 NML 國家量測實驗室)的 ISO 17025 校驗證書。昶特 ATLANTIS 提供 TAF 認可追溯校驗服務,並可出具完整校驗報告供廠商文件存檔。
Q17. CVD、PECVD 薄膜沉積製程的氣體管路壓力表應如何選型?
CVD/PECVD Gas Box 前置管路壓力通常 1~10 bar,使用 HCPG UHP 壓力表(SS316L + VCR 接頭);腔體前質量流量控制器(MFC)後側壓力通常 10~300 Torr(0.013~0.4 bar),需使用高精度傳送器;腔體內部製程壓力則依 CVD 種類(LPCVD、APCVD)使用電容真空計(Capacitance Manometer)或 Pirani 計。請依壓力範圍分段選型,避免單一儀錶跨越過大量程。
Q18. UHP 壓力表與差壓傳送器如何搭配使用?
典型半導體廠務配置:就地指示採用 UHP 機械式壓力表(如 HCPG)做現場巡檢,斷電時仍可提供即時讀值;遠端監控採用 4-20mA 差壓傳送器(如 PT-UHP 超高壓型)整合至 SCADA,提供連續數位訊號供 SPC 統計製程控制分析。兩者互補:機械表低成本、高可靠、免電源;傳送器高精度、可記錄、可聯網警報。此雙軌設計是大型晶圓廠廠務管理的最佳實踐。
Q19. 表面粗糙度 Ra 值對半導體製程的影響為何?
接液表面 Ra 值越低,越不易吸附水分、有機物與金屬離子,氣體純度可維持更高等級。標準工業拋光 Ra 1.6 µm 有大量微坑,氣體分子會在此滯留(尤其是 H₂O、HF);電解拋光 EP 達 Ra 0.1~0.25 µm,雜質吸附量可降低 50~80%,且乾燥時間(Dry-down Time)顯著縮短,切換製程氣體時(如 SiH₄ 換 NH₃)更安全、更快速,減少氣體切換等待時間。
Q20. 昶特 ATLANTIS 可提供哪些半導體壓力量測的技術支援?
昶特 ATLANTIS 深耕台灣工業儀錶 31 年,服務對象涵蓋台積電、友達光電等一線半導體廠商,可提供:①HCPG UHP 壓力表選型與快速報價;②3.1 MTR 材質認證書、氦氣洩漏測試報告、潔淨包裝確認;③TAF 追溯校驗服務;④現場技術支援與安裝指導;⑤緊急備貨諮詢(常用規格 3~5 工作日)。請聯絡業務 Ian(ian@atlantis.com.tw,分機 27)或 Nori(nori@atlantis.com.tw,分機 16)取得詳細技術資料。

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👨‍💼 Ian|業務一部

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專責:食品、製藥、精密儀錶客製

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昶特設備不屈服,不妥協。Re-Atlantis — 重現古代文明的測量榮光。

資料來源與參考文獻

[1] WIKA Blog: "UHP Pressure Instruments in Semiconductor Manufacturing" (2026) — https://blog.wika.com/us/applications/uhp-pressure-instruments-semiconductor-manufacturing/
[2] Swagelok: "Pressure Gauges, Ultrahigh-Purity and Clean Dry Air - PGU/PGC Series" — SEMI/SEMATECH UHP 規範,Class 100/10 潔淨室製造,氦氣洩漏 ≤ 1×10⁻⁹ std cm³/s
[3] Ashcroft Blog: "How to Select a UHP Pressure Gauge for Semiconductor Applications" (2024) — 316L 不鏽鋼、氫脆效應、電解拋光表面要求
[4] WIKA Semiconductor Brochure: Process Gas Management Facilities Support Equipment — ISO Class 6 潔淨室製造、SEMI F20 規範
[5] SEMI E49.6: Standard for UHP Component Cleanliness and Packaging Requirements
[6] SEMI S2: Environmental, Health, and Safety Guideline for Semiconductor Manufacturing Equipment
[7] SEMI F20: Specification for Pressure Instruments for Ultrahigh Purity Gas Distribution
[8] 昶特 ATLANTIS 技術文件:HCPG 高純度壓力表規格書(2024)— https://www.re-atlantis.com/products_detail/29
[9] ISO 14644-4: Cleanrooms and Associated Controlled Environments — Design, Construction and Start-up
[10] Prosdata Engineering: "What Does UHP Mean in Semiconductor — And What Instrumentation Do You Need?" (2026)